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三星全球率先推出40納米級動態存儲芯片
發表日期：[2010-04-03]
dbzz.net 世界著名存儲芯片企業三星電子在全球率先推出40納米級32GB DRAM（動態隨機存取記憶體）模塊，并計劃從4月開始生產該產品。

　　40納米（10億分之1米）工藝是指將芯片內部電路的線幅縮小為40納米。芯片電路線幅越薄，芯片的集成度和生產效率就越高。

　　三星電子在2009年3月實現了50納米級16GB DRAM模塊的批量生產，而僅隔一年就把容量提高兩倍，芯片生產效率則提高了60%。最近，高性能服務器要求將存儲器容量提高至GB的1000倍，即TB（千千兆）級以上，因此預計40納米級32GB DRAM的用途將非常大。搭載該半導體的服務器（中型計算機）以及臺式、本式個人電腦將比之前產品的主存儲量增加一倍。

　　三星電子副社長金東守稱：“由于使用超節電技術，這次推出的40納米級32GB DRAM模塊的主存儲量增加，耗電量降低，為需要大容量存儲器的服務器以及個人電腦提供了高性能、低電力的存儲解決方案，這點非常有意義。” 比如，使用96GB容量動態存儲的服務器，搭載40納米級4GBDDR3動態內存的產品要比40納米級2GBDDR3動態內存模型的耗電量最多可減少35%。三星電子計劃在上半年內將把在服務器和個人電腦用動態內存中的40納米級DDR動態內存供應比率提高到90%以上。

　　三星電子芯片項目部存儲器業務總經理趙秀仁表示：“今年將量產40納米級32GB DRAM模塊，同時，三星電子已開發了與40納米級相比更先進的30納米級生產工程技術，下半年將推出30納米級產品，繼續搶占市場。”
（來源：國家軟件與集成電路促進中心）
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