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  • 兩年內全球將誕生150座新晶圓廠
  • 發表日期:[2010-09-10]

  • dbzz.net        國際半導體設備材料產業協會(SEMI)預測,2010年全球晶圓廠前段制程設備支出規模,將較2009年成長133%,并在2011年再度取得18%的成長率。而全球已建置晶圓廠產能,包括離散組件廠在內,估計在2010年成長7%,并在2011年將再成長8%。
      
      這份WorldFabForecast報告并預期,2010年全球晶圓廠建設支出規模,將成長125%,2011年還將再成長22%。SEMI的數據指出,在2010與2011年,將有超過150座晶圓廠興建計劃,總支出估計830億美元;該估計數字是根據各晶圓廠興建計劃與設備支出計劃所做成,追蹤對象涵蓋大/小產能晶圓廠,以及生產微機電系統(MEMS)、LED、離散組件的晶圓廠。
      
      該報告指出,在2010年總計有54個晶圓廠興建計劃正在進行,建設支出總計在45億美元左右;在這些計劃中,有五成是LED晶圓廠,而且大部分位于中國。將在2011年執行的晶圓廠興建計劃雖然較少,但規模卻比較大,建設支出總計約55億美元。
      
      SEMI估計,2010年全球半導體設備支出將成長133%,達到340億美元規模;而在2008年,全球半導體設備支出則是成長27%。該協會并預測2011年全球半導體設備支出將再成長18%,達到390億美元的規模,超越2007年的水平。
      
      至于在2010年開始營運的晶圓廠數量大約為22座,其中也有超過五成都是LED廠;另外明年則預計有28座晶圓廠即將開張,包括4座內存廠。到2010年底,全球已建置晶圓產能(不包括離散組件),估計達到每月1,440萬片8?約當晶圓,2010年該數字則可望成長8%,來到每月1,580萬8?約當晶圓。
      
      SEMI指出,內存廠是占據全球已建置晶圓產能的最大宗,所占比例在2010與2011年約為41%;晶圓代工廠則居次,所占據比例將由2009年的24%,在2011年成長到26%左右。
    (來源:電子工程專輯)
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