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| IGBT突波吸收電容 |
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IGBT突波吸收電容 雙面金屬化膜內串結構、特別的內部設計和端面噴金技術，使電容具低感抗， 多條引線設計，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。 用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路 材料特性 電容結構: 雙層金屬化膜，內部串聯結構 封裝: 阻燃塑膠外殼，環氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標準. 尺寸: 適合于各種IGBT保護 。(可按客戶需求定制特殊規格) 電氣特性 電容量: 0.0047 to 6.8μF,參考表格數據 額定電壓: 700 to 3000 Vdc 損耗角正切: Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4 絕緣電阻: 3000s，s= MΩ. μF 耐電壓: 2Ur (DC) 工作溫度: -40~+ 以上產品全新原裝進口，有現貨，直接代理商，有價格優勢 深圳市嘉林電子有限公司 |
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