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| PECVD化學氣相淀積控制器 |
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PECVD化學氣相淀積控制器用于氮化硅淀積設備的控制,是一部單腔制程的電漿輔助化學氣相沉積系統，適用于 200mm 晶圓制造以及Ⅲ-Ⅴ族晶圓制程，可沉積制造薄膜包括氮化硅(SiNX)和氮化硅氧化硅(SiO2) 碳化硅 (SiC) 等高質量薄膜沉積。
PECVD化學氣相淀積控制器適用于半導體生產制程；為了順應批次生產之數量擴充，本公司更提供 18 吋大面積之尺寸適用 Ⅲ-Ⅴ 族晶圓制程 2 吋芯片可達 42 片，以及大陽能電池相關制程之應用。
PECVD化學氣相淀積控制器擁有良好之均勻性 (<3%) 以及半導體制造過程中所需的階梯覆蓋及隙縫填補能力，可應用在保護層、隔離層和介電絕緣層沉積以及光罩 (hard mask) 等制程應用，提供 MMIC、VCSEL、藍光 LED、LD 等光電與通訊半導體組件以及太陽能產業的必要制程設備。
參考網址：http://www.jlgw.com |
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